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电子电路根本习题册参考谜底-第一章

浏览次数: 发表时间:2019-07-09

  电子电路根本习题册参考谜底-第一章_讲授研究_教育专区。电子电路根本习题册参考谜底(第三版)全国中等职业手艺

  电子电路根本习题册参考谜底(第三版)全国中等职业手艺 第一章 常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、 填空题 、 绝缘体 和 杂质 锗 。 和 半导体 1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 三大类,最常用的半导体材料是 硅 2、按照正在的半导体中掺入的 型半导体和 P 3 、半导体又称 相等 空穴 电子 型半导体。 本征 元素分歧,可构成 N 半导体,其内部空穴和电子数 。N 型半导体又称 电子 型半导体,其内部少数载流子是 ;P 型半导体又称 空穴 。 单领导电性 ,即加正向电压时,二极管 截止 导 型半导体,其内部少数载流子是 4、晶体二极管具有 通 ,加反向电压时,二极管 。一般硅二极管的电 压约为 0.5 V,锗二极管的电压约为 0.1 V;二极管导通后, 一般硅二极管的正向压降约为 0.7 0.3 V。 5.锗二极管电压小,凡是用于 流小,正在 整流电路 及电工设备中常利用硅二极管。 6. 稳压二极督工做于 小,其稳压机能 反向击穿 区,稳压二极管的动态电阻越 检波电路 ,硅二极管反向电 V,锗二极管的正向压降约为 好 。 7 正在稳压电路中,必需串接 限流 电阻,防止 反向击穿电流 过极限值而发生 热击穿 8 二极管按制制工艺分歧 , 分为 面 型。 、 整流二极管 损坏稳压管。 点接触 型 、 面接触 超 型和 平 9、二极管按用处分歧可分为 通俗二极管 稳压二极管 开关 、 、 发光 和 、 、 热敏 光电二极管 、 等二极管。 10 、二极管的次要参数有 压 、 反向饱和电流 最大整流电流 和 最高工做频次 、 最高反向工做电 。 11、稳压二极管的次要参数有 不变电压 态电阻 。 不变电流 和 动 12、图 1-1-1 所示电路中,二极管 V1、V2 均为硅管,当开关 S 取 M 相接时,A 点的电位为 无法确定 V,当开关 S 取 N 相接时,A 点的电位为 0 V. 13 图 1-1-2 所示电路中,二极管均为抱负二极管,当开关 S 打开时, A 点的电位为 10V 、 ;当开关 S 闭应时,A 点的电位为 2mA 。 0 流过电阻的电流是 4mA V,流过电阻的电流为 14、图 1-1-3 所示电路中,二极管是抱负器件,则流过二极管 V1 的 电流为 0.25mA ,流过 V2 的电流为 0.25mA ,输出电压 U0 为 +5V。 15、光电二极管的功能是将 光二极管的功能是将 电 信号转换为 光 光脉冲 信号转换为 电 信号,发 信号。 挡, 16、用数字式万用表丈量二极管,应将功能开关置于 二极管 将黑表笔插入 com 插孔,接二极管的 的 正 负 极;红表笔插入 V,Ω 插孔,接二极管 。 极,其显示的读数为二极管的 正向压降 一、 判断题 1、正在外电场感化下,半导体中同时呈现电子电流和空穴电流。 (√ ) 2 、 P 型半导体中,大都载流子是电子,少数载流子是空穴。 (× ) 3、晶体二极管有一个 PN 结,所以有单领导电性。(√ ) 4、晶体二极管的正向特征也有稳压感化。(√ ) 5、硅稳压管的动态电阻小,则稳压管的稳压机能愈好。 (√ ) 6、将 P 型半导体和 N 型半导体用必然的工艺制做正在一路,其交 界处构成 PN 结。(√ ) 7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。(× ) 8、用万用表欧姆挡的分歧量程去测二极管的正向电阻,其数值 是不异的。(× ) 9、二极管两头的反向电压一旦跨越最高反向电压,PN 结就会击 穿。( ) 10、二极管的反向电阻越大,其单领导电机能越好。(× ) 11、用 500 型万用表测试发光二极管,应选 R×10K 挡。 (√ ) 三、选择题 1、当温度升高时,晶体二极管的反向电流将(A )。 A.增大 B .减小 C. 不变 2、丈量小功率晶体二极管机能黑白时,应把万用表欧姆档拨到 ( A )。 A .R×100 或 R×1K 10K 3 、半导体中的空穴和电子数目相等,如许的半导体称为 ( B )。 A. P 型半导体 B. 本征半导体 C、 N 型半导体 )实现的。 B. R ×1 C. R× 4、稳压管的稳压机能是操纵( B A.PN 结的单领导电性 C.PN 结的正领导通特征 B .PN 结的反向击穿特征 5、电路如图 1-1-4 所示,已知两个稳压管的 UZ1=7V,UZ2=5V 它们的正向压降均为 0.7V,则输出电压 U0 为( C ) A. 12V B. 5.7V C. 7.7V D.7V 6、正在图 1-1-5 所示的电路中,流过二极管的电流 I1、I2 别离是 ( D )。 A.I1=8mA , I2=0 D. I1=0, B. I1=2mA C. I1=0, I2=6mA I2=8mA 7、二极管的正向电阻(B )反向电阻。 A.大于 B. 小于 C.等于 D.不确定 8、电路如图 1-1-6 所示,V 为抱负二极管,则二极管的形态为 (A )。 A.导通 B.截止 C.击穿 )。 9、上题中,A、B 两头的电压为( C A.3V B. -3V C.6V D.-6V 10、某二极管反向击穿电压为 140V,则它的最高反向工做电压 为( C )。 A. 280V B. 140V C. 70V D. 40V 11、二极管电路如图 1-1-7 所示,(1)处于导通形态的二极管 是( A )。 A . 只要 V1 导通 V1、V2 均不导通 B . 只要 V2 导通 C . V1 、 V2 均导通 D . (2) 考虑二极管正向压降为 0.7V 时,输出电压 U0 为 ( B ) 。 A.-14.3V B.-0.7V C.-12V D.-15V 12、P 型半导体中大都载流子是( D ),N 型半导体中大都载 流子是( C )。 A.正离子 B.负离子 C.电子 D.空穴 13、用万用表 R×10 和 R×1K 挡别离丈量二极管的正向电阻, 丈量成果是( C )。 A.不异 值较小 14、用万用表分歧欧姆档丈量二极管的正向电阻值时,测得的 阻值不不异,其缘由是( c )。 A.二极管的质量差 B.万用表分歧欧姆档有分歧的内阻 B.R×10 挡的测试值较小 C.R×1K 挡的测试 C.二极管有非线性的伏安特征 二、 简答题 1、什么是本征半导体?N 型半导体?PN 结? 答:本征半导体即的单晶半导体,其内部存正在数量相等 的两种载流子,一种是负电的电子,另一种是带正电空穴。 N 型半导体又称电子型半导体其内部电子数多于空穴 数量,P 型半导体又称空穴型半导体其内部空穴大都载流子电子 少数载流子。 PN 结是采用工艺便硅和锗晶体的一边构成 P 型区 , 一边构成 N 型半导体。 五.阐发、计较、做图题 1、判断图 1-1-8 中,抱负二极管导通仍是截止,若导通,则流 过二极管的电流是几多? 解:图 a) V 导通,I=5mA 图 b) V 截止,I=0 图 c) V 导通,I=10mA 2、正在图 1-1-9 所示电路中,二极管为抱负二极管,ui=10sinω tV, 试画出输出电压波形。 3、正在图 1-1-10 所示电路中,二极管为硅管,求 A 点电位和流 过二极管的电流。 4、正在图 1-1-11 所示电路中,二极管是导通仍是截止,输出电压 U0 是几多? 图 1-1-11 解: a)V 导通,U0=11.3V b)V 导通,I0=15-12/3=2mA UR=1×3=3V UO=UR-15=-12V c)V 导通 , UO=0.7V §1-2 晶体三极管 一、填空题 1、三极管有两个 PN 结,别离为 发射结 、 集电结 ,三 个电极别离为 发射极 、 基极 和 基极 ,三极管按内部布局分歧可分为 NPN 和 PNP 型。 2 、晶体三极管实现电流放大感化的偏置前提是 发射结 和 集电结 反偏, 电流分派关系是 IE=IC+IB 。 正偏 3、正在模仿电子电路中,晶体管凡是被用做 电流节制 元件,工做正在输出特征曲线上的 放大 晶体三极管凡是被用做 开关 区或 饱和 区或 截止 区。 4、正在一块一般放大电路板上,测得三极管 1、2、3 脚对地电压分 别为-10V、-10.2V、-14V,则该管为 PNP 型 锗 材料三极管, 区;正在数字电子电路中, 元件,工做正在输出特征曲线 脚是 集电 极。 5、NPN 型三极管,挡 UBE>0.5V,UBE>UCE 时,工做正在 饱和 形态;当 UBE>0.5V, UBE<UCE 时 , 工做正在 放大 形态 ; 当 UBE<0 时 , 工做正在 截止 状 态。 6、当温度升高时,三极管的电流放大系数β 将 电流 ICEO 将 添加 , 发射结电压 UBE 将 增大 。 升高 ,穿透 7、权衡晶体三极管放大能力的参数是 共射电流放大系数 ,三 极管的次要极限参数有 集电极最大答应电流 大答应耗散功率 。 、 集-发反向击穿电压 、 集电极最 8、由于晶体三极管的穿透电流随温度的升高增大,而锗管的穿透 电流比硅管 大 所以 硅 , 三极管的热不变性好。 区和 放大 9 、三极管的输出特征可分为三个区域,即 截止 区,当三极督工做正在 饱和 UCES ; 当三极督工做正在截止区时,IC= O(ICEO) 10、ICEO 称为三极管的 穿透 性, ICEO 是 ICBO 的 1+β 。 区时,IC=β IB 才成立;当三极督工做正在包河区时 UCE= 电流,它反映三极管的 温度不变 倍 , 先选用管子时 , 但愿 ICEO 尽量 小 。 11、丈量晶体三极管 3AX31 的电流,当 IB=20uA 时,IC=2mA; 当 IB=60uA 时 , IC=5.4mA , 则 该 管 的 β 为 0.3mA ,ICBO= 3.5uA 。 ICM=100 mA, U(BR)CEO=30V,若 85 , ICEO= 12、设三极管的 PCM=150mW, UCE=10V,IC 答应的最大值为 15mA ; 若 UCE=1V, IC 允 许 的 最 大 值 为 100mA ;若 IC=3A,UCE 答应的最大值为 30v 。 13、复合管是由 两个 以上的三极管按必然体例毗连而成,用 复合管提高输出级的 电流 放大倍数。 三极 14、有二只三极管形成的复合管的类型,取决于 输入管 管的类型,其电流 放大系数β = β 1×β 2 。 二、判断题 1 、 晶体三极管的发射区和集电区是由统一类半导体 (N 型或 P 型) 形成的,所以发射极 和集电极能够彼此互换利用。( × ) 2、晶体三极管的放大感化具体表现正在△IC=β △IB。( √ ) 3、晶体三极管具有能量放大感化。(× ) 4、硅三极管的 ICBO 值要比锗三极管的小。(√ ) 5、若是集电极电流 IC 大于集电极最大答应电流 ICM 时,晶体三 极管必定损坏。(√ ) 6、晶体二极管和晶体三极管都线 督工做正在饱和形态时,必然是 UBE<UCE。( × ) 8、某晶体三极管的 IB=10uA 时,IC=0.44mA;IB=20u 时,IC=0.89mA, 则它的电流放大系数β =45。( √ ) 9、由于三极管有两个 PN 结,二极管有一个 PN 结,所以用两个 二极管能够毗连成 一个三极管。(× ) 10、判断图 1-2-1 所示各三极管的工做形态(NPN 型为硅管,PNP 型为锗管)。 11、复合管的射极电流放大倍数β 等于两管的β 1、β 2 之和。 ( × ) 12、晶体三极管的次要机能是具有电压和电流放大感化。( √ ) 三、选择题 1、三极管的发射结正偏,集电结反偏时,三极管处于(A A.放大形态 B.饱和形态 C.截止形态 ) 2、三极管正在饱和形态时,它的 IC 将(C )。 A.随 IB 的添加而添加 C.取 IB 无关 3、三极管的特征曲线是指它的(C )。 A.输入特征曲线 C.输入特征和输出特征曲线、正在三极管的输出特征曲线中,每一条曲线取(C )对应。 A.输入电压 B.基极电压 C.基极电流 B.输出特征曲线 B.随 IB 的添加而减小 5、当温度升高时,晶体三极管的参数将发生(C )变化。 A. UBE 增大,β 增大,ICBO 增大 B.UBE 减小,β 增大,ICBO 增大 C.UBE 增大,β 减小,ICBO 增大 6、用万用表测得电子线路中的晶体管 UE=-3V,UCE=6V,UBC=-5.4V,则 该晶体管是( C )。 A.PNP 型,处于放大形态 C.NPN 型,处于放大形态 B.PNP 型,处于截止形态 D.NPN 型,处于截止形态 7、已知某晶体管的 PCM=100mW ICM=20mA U(BR)=15V 鄙人列工做 前提下,一般工做的是(B )。 A.UCE=2V,IC=40mA C.UCE=4V,IC=30mA 8、3DG6 型晶体管是( A )。 A.高频小功率硅 NPN 型三极管 C.高频小功率锗 PNP 型三极管 B.UCE=3V,IC=10mA D.UCE=6V,IC=20mA B.高频小功率锗 NPN 型三极管 9、正在三极管的输出特征曲线 时,IC 是( C )。 A. ICM B.ICBO C.ICEO 10、某晶体三极管的发射极电流等于 1ma,基极电流等于 20uA,正 常工做时它的集电极 电流等于( A )。 A.0.98mA B.1.02mA C.0.8mA 11、图 1-2-2 所示电路中,三极管处于 ( A ) 形态 (V 为硅管) 。 A. 截止 B.饱和 C.放大 12、正在图 1-2-3 所示各复合管中,毗连不准确的是(C ) 。 四、简答题 1、什么是三极管的输出特征?画出硅三极管正在射极组态时的 输出特征曲线, 并标出它的三个工做区。 答:它是指三极管基极电流 IB 必然时,三极管的集电极电流 IC 取 集电极和发射极之间 的电压 UCE 之间的关系曲线、三极管有哪三种毗连体例?画出示企图。 答:射极接法,共集电极接法,共基极接法。 3、三极管有哪三种工做形态?其外部前提(偏执前提)是什么? 答:放大形态、截止形态 、饱和形态。其外部前提 (1)放大形态时,三极管发射结正偏,集电结反偏时,ic 受 ib 节制,具有电流放大感化。同时 ic 的大小和 uce 根基无关。记住 三极管放大形态时的硅管 UBE 约为 0.7V,锗管的 UBE 约为 0.3V。 (2)截止形态时:一般把 IB=0 时,这时的三极管发射结和集电结 均反偏,三极管处于截止形态,相当于开关断开。这时只要很小 的集电极电流穿透电流存正在。 (3)饱和形态时:三极管的 Uce<Ube 时,正在发射结和集电结均正 偏时,此时 ic 不受 ib 节制,却跟着 UCE 的增大而增大,这时处于 饱和形态,相当于开封闭合。这时的只剩下三极管的饱和压降存 正在。 5、标出下列复合管的等效管型和管脚。 6、三极管的集电极最大答应电流是如何定义的? 答:三极管集电极最大答应电流 Icm,集电极电流过大时,三极 管的β 值要降低, 一般β 下降到其一般值的三分之二时的集电极电流。 五、阐发、计较、绘图题 1、一个晶体三极管正在工做时,测得其发射极电流 IE=10mA,基极 电流 IB=400uA, 求其基极电流 IC 和曲流电流放大系数β 。 2、用万用表丈量三极管各级间电压获得下列三组数值: (1)UBE=0.7V, UCE=0.3V; (2)UBE=0.7V,UCE=4V; (3)UBE=-0.2V,UCE=-0.3V。试阐发每尽管子的类型,是硅管仍是 锗管,并申明 工做形态。 答: (1) UBE=0.7V 是硅管,UCE=0.3V 工做正在饱和形态。 (2) UBE=0.7V 是硅管,UCE=4V 工做正在放大形态。 (3)UBE=-0.2V 是锗管,UCE=-0.3V 工做正在饱和形态。 3、画出 PNP 管和 NPN 管的符号,并标出放大形态时各极电流方 向和各极间电压的极性。 §1-3 场效应管 一、填空题 1、晶体三极管是 电流 节制器件,是通过较小的 基极电流 变化去节制较大的 集电极电流 的变化。 2、场效应管是 一种电压 漏极 节制器件,是用 栅源 电压节制 电流,具有 转移特征 和 输出特征 特点。 结 型和 绝缘栅 型两大 3 、场效应管按其布局分歧分为 类,每类有 P 沟道和 N 沟道两种,绝缘栅场效应管按其工 做形态又可分为 加强 型和 耗尽 型两种。 4、场效应管的三个电极别离是 栅极 、 源极 、和 漏极 。 5、场效应管的输出特征曲线是 UGS 为定值时 漏极电流 iD 取 漏源电压 UDS 的关系曲线,输出特征曲线分为 可变电阻 区、 放大饱和 区和 击穿 区。 6、某耗尽型 MOS 管的转移特征曲线 所示由图可知 IDSS= 3.8mA ,UP= -4V 。 7 、 图 1-3-2 是加强型 MOS 的一条输出特征曲线V 时 , 该管的 ID= 2.6mA 。 8、用 N 沟道加强型和 P 沟道加强型 MOS 管构成互补电路,称 COMS 管,该管输入电流 小 、功耗 小 和工做电源范畴 宽 ,目前普遍使用于 集成电路 中。 9、VMOS 管和 UMOS 管的最大特点是 耗散功率 大、 工做速 度 快、 耐压 高和 转移特征 的线性度好,是抱负的大功率器件。 10、场效应管用于放大时,工做正在 放大 区,三极管用于放大时, 工做正在 放大 区。 11、场效应管的次要参数有 电压 UT 、 夹断电压 UP 、 饱 和 漏 极 电 流 IDSS U(BR)DS 。 、 跨 导 gm 和 漏极击穿电压 二、判断题 1、晶体三极管是单极型器件,场效应管是双极型器件。 ( × ) 2、凡是场效应管的机能用转移特征曲线、输出特征曲线和跨到表 示。( × ) 3、场效应管的源极和漏极均能够交换利用。( × 4、场效应管具有电流放大和电压放大能力。(× ) ) 5、跨到是表征输入电压对输出电流节制感化的一个参数。 ( √ ) 6、结型场效应管有加强型和耗尽型。( × ) 7、绝缘栅场效应管凡是称为 MOS 管。(√ ) 8、P 沟道加强型绝缘栅场效应管一般工做时 UDS 和 UGS 都必需 为负。( √ ) 9、绝缘栅场效应管能够用万用表检测。( × ) 10、存放绝缘栅场效应管应将三个电极短路。( √ ) 三、选择题 1、绝缘栅场效应管有(B A.3 B.2 C.1 )个 PN 结。 D. 0 2、场效应管的转移特征曲线、结型场效应管属于( B A.加强型 B.耗尽型 )。 C.不确定 )。 4、表征场效应管放大能力的主要参数是( B A.UP B.Gm C.IDSS D.UT 5、N 沟道加强型 MOS 管栅源电压 UGS 是(A )。 A.正值 B.负值 C.零 6、N 沟道加强型 MOS 管放大感化时,工做正在( A )。 A.恒流区 B.夹断区 C.可变电阻区 四、1、什么是场效应管?它有哪三个电极?分为哪些类型?画出 N 沟道 MOS 管加强型和耗尽型图形符号. 答:是一种电压节制器件,它是操纵输入电压发生的电场效应来 节制输出电流的器件。源极 S、漏极 D、节制极(栅极)G。它分 为加强型 (EMOS) 和耗尽型 (DMOS) 两大类 。 各类又有 P (PMOS) 沟道和 N(NMOS)沟道两种。 2、画出加强型 NMOS 管的转移特征和输出特征曲线,并正在输出 曲线上标出她的三个区域。 3、什么是加强型 MOS 管?什么是耗尽型 MOS 管? 答:加强型:正在漏源极间加正向电压 UDS,UGS 依托加上电压才 发生导电沟道的场效应管称为加强型 mos 管。 耗尽型:只需加上 UDS 电压,即便 UGS=0 管子也能导通构成漏 电电流,称为耗尽型 mos 管。 4、可否用万用表来检测场效应管? 答:对绝缘栅场效应管不答应用万用表检测,以防止静电高压将 管子击穿,对结型场效应管可用判断晶体三极管方式来判断 PN 结。 5、曾经 某场效应管输出特征曲线)是哪品种型的场效应管?(2)Ur(或 UP) 、IDSS 是几多? (3)跨导 Gm 是几多? 答:(1)N 沟道耗尽型 (2)(夹断电压)UP=-4v ,(饱和漏极电流)IDSS=8mA (3)跨导 Gm=△ID/△UGS=8m/v